La Chine MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR2
La Chine W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Électronique Winbond

W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Électronique Winbond

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Everspin Technologies Inc. est une société américaine de technologie de l'information.

MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Everspin Technologies Inc. est une société américaine de technologie de l'information.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: La RAM
Technologie: une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa;
La Chine MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Type de mémoire: Non volatil, volatil
Format de mémoire: ÉCLAIR, RAM
Technologie: Flash - NAND, LPDRAM pour appareil mobile
La Chine AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Alliance Memory, Inc. est une société américaine de stockage de mémoire.

AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Alliance Memory, Inc. est une société américaine de stockage de mémoire.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Électronique Winbond

W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Électronique Winbond

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR2
La Chine S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Les technologies Infineon

S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine Le système est équipé d'un écran de commande à distance de l'unité de commande.

Le système est équipé d'un écran de commande à distance de l'unité de commande.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
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