La Chine BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Rohm Semi-conducteur

BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Rohm Semi-conducteur

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR mobile
La Chine MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4 GBIT PAR 1,2 GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4 GBIT PAR 1,2 GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR4
La Chine MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.

MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR
La Chine SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Technologie à puce

SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un appareil qui est équipé d'un écran de commande à distance.

MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un appareil qui est équipé d'un écran de commande à distance.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
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